Skip to content Skip to footer

FET

การย้ายตัวอ่อนแช่แข็ง (FROZEN EMBRYO TRANSFER :FET)

​ ปัจจุบันการย้ายตัวอ่อนในรอบแช่แข็ง หรือที่เรียกกันสั้นๆว่า FET นั้น เป็นข้อแนะนำสำหรับกลุ่มคนไข้ที่เข้ารับการรักษา เนื่องจากให้อัตราความสำเร็จในการตั้งครรภ์สูงกว่าการย้ายตัวอ่อนในรอบสด (FRESH)

ความแตกต่างของการย้ายตัวอ่อนในรอบสด (FRESH) VS การย้ายตัวอ่อนในรอบแช่แข็ง (FET)
  • การย้ายตัวอ่อนในรอบสด หรือ FRESH EMBRYO TRANSFER คือ การย้ายตัวอ่อนเข้าสู่โพรงมดลูก หลังจากกระบวนการปฏิสนธิ ผ่านไปแล้วเป็นเวลา 3-6 วัน
  • การย้ายตัวอ่อนในรอบแช่แข็ง หรือ FROZEN EMBRYO TRANSFER (FET) คือ การนำเอาตัวอ่อนที่ถูกแช่แข็งไว้ มาผ่านกระบวนการละลาย (THAWING) และย้ายเข้าสู่โพรงมดลูก ซึ่งในกรณีนี้ คนไข้สามารถเลือกช่วงเวลาที่ตนเองสะดวกได้  เช่น 3-4 เดือนหลังจากกระบวนการปฏิสนธิ
ทำไม FET ถึงให้อัตราความสำเร็จในการตั้งครรภ์สูง?
  • ป้องกันการเกิดภาวะรังไข่ถูกกระตุ้นมากเกินไป (OHSS : OVARIAN HYPERSTIMULATION)

ในกระบวนการกระตุ้นรังไข่ด้วยฮอร์โมนกลุ่ม LH (Luteinizing Hormone) และ FSH (Follicle Stimulating Hormone) นอกจากจะทำให้จำนวนของการตกไข่เพิ่มขึ้นแล้ว ยังส่งผลทำให้ระดับของฮอร์โมนเพิ่มขึ้นด้วย ซึ่งการย้ายตัวอ่อนในขณะที่ร่างกายมีระดับฮอร์โมนสูง หรือในรอบ FRESH อาจทำให้คนไข้ได้รับความเสี่ยงที่จะเกิดภาวะรังไข่ถูกกระตุ้นมากเกินไป หรือที่เรียกว่าอาการ OHSS (OVARIAN HYPERSTIMULATION)  ซึ่งจะมีของเหลวสะสมอยู่ภายในช่องท้อง ทำให้เกิดอาการบวมน้ำ ท้องอืด แน่นท้อง จนอาจต้องเข้ารับการรักษาในโรงพยาบาล และในบางรายอาจมีอาการรุนแรง เช่น หายใจลำบาก ไตวาย และภาวะน้ำรั่วในปอด ซึ่งในกรณีที่คนไข้ตั้งครรภ์ ทารกในขั้นอาจได้รับผลกระทบจากภาวะ OHSS อีกด้วย

  • ร่างกายมีความพร้อม

นอกจากนี้ ในกระบวนการของการกระตุ้นรังไข่ ยังส่งผลให้ผนังมดลูกหนาขึ้นมากกว่าปกติ และในบางรายผนังมดลูกอาจมีอาการบวม ซึ่งทำให้ตัวอ่อนฝังตัวได้ยาก หรือ ไม่ฝังตัว การทำให้ผนังมดลูกอยู่ในภาวะที่เหมาะสมต่อการฝังตัวของตัวอ่อนด้วยการให้คนไข้ได้พักผ่อนอย่างน้อย 1 รอบเดือนภายหลังจากผ่านกระบวนการกระตุ้นรังไข่ จะทำให้ผนังของมดลูกกลับคืนสู่ภาวะปกติ ด้วยเหตุนี้ คนไข้จึงจำเป็นต้องเก็บรักษาตัวอ่อนไว้ด้วยวิธีการแช่แข็ง จนกระทั่งคนไข้มีความพร้อมในด้านของเวลาและสุขภาพร่างกาย  สามารถกลับมาย้ายตัวอ่อนในรอบแช่แข็งได้ (FET)